??? 1.鎖定效應
IGBT為四層結構，體內存在一個寄生晶體管，其等效電路如圖1所示。在V2的基極與發射極之間并有一個擴展電阻Rb，在此電阻上，P型體區的橫向空穴會產生一定壓降，對J3結來說，相當于一個正偏電流范圍內，這個正偏置電壓不大，對V2不起作用，當Id大到一定程度時，該正偏置電壓足以使V2開通，進而使V2和V3處于飽和狀態，于是寄生晶體管開通，柵極失去對集電極電流的控制作用，這就是所謂的IGBT的靜態鎖定效應，IGBT發生鎖定效應后，漏極電流增大，造成過高功耗，導致損壞。可見，漏極電流有一個臨界值Idm，當Id> Idm時便會產生鎖定效應。
? 具有寄生晶體管的IGBT等效電路在IGBT 關斷的動態過程中，假若dvds/dt過高，那么在J2結中引起的位移電流會增大，當該電流流過體區擴展電阻Rb時，也可產生足以使晶體管V2開通的正向偏置電壓，滿足寄生晶體管開通鎖定的條件，形成動態鎖定效應。為此，在應用中必須防止IGBT發生鎖定效應，為此可限制Idm值，或用加大柵極電阻RG的辦法延長IGBT關斷時間，以減少dvds/dt值。值得指出的是，動態鎖定效應允許的漏極電流比靜態鎖定所允許的要小，IGBT 器件提供的Id值是按動態鎖定效應所允許的最大漏極電流來確定的。鎖定效應曾限制 IGBT 電流容量提高，這個問題在20世紀90 年代中后期開始逐漸解決，即將IGBT與反并聯的快速二極管封裝在一起，制成模塊，成為逆導器件。
2．安全工作區
安全工作區（SOA)反映了一個功率器件同時承受一定電壓和電流的能力。IGBT的安全工作區可以分為三個主要區域：
1)正向導通[正向偏置安全工作區( FBSOA)]。這部分安全工作區是指電子和空穴電流在導通瞬態時流過的區域。在lc處于飽和狀態時，IGBT所能承受的最大電壓是器件的物理極限。IGBT開通時的正向偏置安全工作區由 電流、電壓和功耗三條邊界極限包圍而成（最大集電極電流、最大集電極—發射極間電壓和最大集電極功耗）。最大集電極電流ICmax是根據避免動態鎖定效應而設定的，最大集電極—發射極電壓VCEmax是由IGBT中晶體管V2的擊穿電壓所確定，最大功耗則是由最高允許結溫所決定。導通時間越長，發熱越嚴重，安全工作區則越窄。
?2)反向偏置安全工作區(Reverse Bias Safe Operation Area，RBSOA)? 由反向最大集電極電流、最大集電極—發射極間電壓和最大允許電壓上升率dvCE/dt 確定，這個區域表示柵偏壓為零或負值但因空穴電流沒有消失，麗；存在時的關斷瞬態。IGBT的反向偏置安全工作區如圖2b所示，它隨IGBT 關斷時的dvCE/dt而改變，dvCE/dt越高，RBSOA越窄。
3)短路安全工作區（短路安全運行Short CircUit Safe Operation Area，SCSOA）。SCSOA是在電源電壓條件下接通器件后，所測得的驅動電路控制被測試器件的時間最大值。
在設計緩沖電路時要保證使關斷時VCE - IC的工作軌跡全部容納在該RBSOA區域內。由于SCSOA區在集電極電流變大時有變窄的傾向，在應用設計中需要加以注意。
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